CIS(Contact Image Sensor)：接触式图像传感器于八十年代末应运而生，它是由CMOS工艺制作的传感器IC组成阵列，阵列的长度与原稿相同，光路由CIS本体决定，具有体积小、光路短等特点，组成的系统体积也小，而且安装简单，不需要调整光路，解决了图像光学信号均匀性和部件体积问题，便于实现产品的小型化。图像传感器根据元件不同分为CCD、CMOS、CIS。

CCD、CMOS两种图像传感器比较

CCD图像传感器的特色在于充分保持信号在传输时不失真(专属通道设计)，透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持资料的完整性;CMOS没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。 整体来说，CCD 与 CMOS 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 感光度、制造成本、解析度、噪点与耗电量等方面的差异，具体表现在：

1.感光度差异：由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此 相同像素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。

2.噪点差异：由于CMOS每个感光二极体搭配一个 ADC 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单一个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪点就比较多。

3.解析度差异： CMOS 每个像素的结构比 CCD 复杂，其感光开口不及CCD大， 相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。但是目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万像素 / 全片幅的设计，CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难。

4.成本差异：CMOS 应用可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本 和良率的损失;相对于 CCD 采用电荷传递的方式输出信号，必须另辟传输通道，如果通道中有一个像素故障，就会导致信号无法传递，因此CCD的良率比CMOS低，再加上专属传输通道设计，CCD的制造成本相对高于CMOS。

5.耗电量差异：CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出;但CCD却为被动式， 必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特(V)以上的水平，因此 CCD 还必须要有更精密的电源线路设计和耐压强度，高驱动电压使 CCD 的电量远高于CMOS。